HONG YE SILICONE Electronic Potting for Gunn Diodes este un compus electronic specializat de încapsulare și silicon , cunoscut și sub numele de adeziv de încapsulare electronică , adaptat pentru încapsularea diodei Gunn. Fabricat din materii prime siliconice de înaltă puritate, este un silicon care se întărește prin adaos, cu o excelentă impermeabilitate, umiditate, izolație și conductivitate termică, funcționând stabil de la -60℃ la 220℃, aderență puternică la metale și PC/PMMA/PCB, volatilitate scăzută, fără interferențe de semnal de înaltă frecvență, conformare cu parametrii RoHS și non-personalizator 198 de caractere).
Prezentare generală a produsului
Pottingul nostru electronic pentru diode Gunn este un compus profesional de ghiveci din silicon dezvoltat pentru încapsularea, etanșarea, izolarea și protecția împotriva disipării căldurii a diodelor Gunn. În calitate de producător de frunte de compus electronic pentru ghiveci și materii prime siliconice , optimizăm formula pentru stabilitatea de înaltă frecvență, izolație, conductivitate termică și cerințe anti-interferențe ale diodelor Gunn. Spre deosebire de siliconii obișnuiți, prezintă pierderi dielectrice scăzute, nu interferează cu transmisia semnalului de înaltă frecvență, absoarbe stresul intern din ciclurile de temperatură, rezistă la coroziune și ozon și are o aderență excelentă la aluminiu, cupru, oțel inoxidabil și PC/PMMA/PCB, protejând eficient cipurile diodelor Gunn și asigurând o funcționare stabilă a partenerilor pe termen lung.
Caracteristici și avantaje cheie
- Izolație superioară și anti-interferență : performanță de izolație ultra-puternică (rezistență dielectrică ≥25 kV/mm, rezistivitate de volum ≥1,0×10¹⁶ Ω·cm), prevenind scurtcircuitele și asigurând funcționarea în siguranță; izolarea eficientă a interferențelor electromagnetice externe și a interferențelor de tensiune, evitând distorsiunea semnalului și asigurând starea de funcționare stabilă a diodelor Gunn.
- Conductivitate termică excelentă și adaptabilitate la temperatură : Funcționează stabil de la -60℃ la 220℃, cu rezistență remarcabilă la temperaturi înalte și scăzute; o bună conductivitate termică promovează disiparea căldurii diodelor Gunn în timpul funcționării de înaltă frecvență, evită deteriorarea supraîncălzirii; absoarbe stresul intern cauzat de ciclurile de temperatură, protejând cipurile diodei Gunn și firele de sudură împotriva deteriorării.
- Aderență puternică și operare ușoară : aderență excelentă la aluminiu, cupru, oțel inoxidabil și alte metale, precum și materiale PC, PMMA și PCB (comune în modulele de diode Gunn), formând o etanșare etanșă fără detașare; design cu două componente, ușor de amestecat uniform, opțional antispumant în vid (0,01 MPa timp de 3 minute), suportă temperatura camerei sau întărire încălzită, întărire completă în 24 de ore, potrivit pentru producția în serie de diode Gunn.
- Protecția mediului și stabilitate ridicată : silicon de întărire prin adăugare, netoxic și nepericulos, pe deplin conform cu directiva UE RoHS; volatilitate scăzută, rezistență ridicată, fără stratificare după depozitare pe termen lung (se amestecă înainte de utilizare fără a afecta performanța); cleiul amestecat poate fi folosit la un moment dat, evitând risipa și reducând costurile de achiziție.
Cum se utilizează (Ghid pas cu pas)
- Pregătirea pre-amestecare : Amestecați complet Componenta A în recipientul său pentru a amesteca uniform umplutura decantată și agitați bine Componenta B pentru a asigura consistența uniformă, evitând afectarea efectului de întărire, a aderenței și a performanței dielectrice, ceea ce este crucial pentru stabilitatea de înaltă frecvență a diodei Gunn.
- Amestecare : Amestecați Componenta A și Componenta B conform raportului de greutate specificat (personalizat), amestecați încet și uniform pentru a evita generarea de bule de aer, care pot afecta izolația, conductibilitatea termică și performanța de etanșare a diodelor Gunn.
- Degazare (Opțional) : Puneți amestecul de ghiveci într-un recipient cu vid, degazați la 0,01 MPa timp de 3 minute pentru a elimina complet bulele de aer, apoi turnați-l în forme sau carcase de ambalare cu diode Gunn.
- Întărire : Puneți dioda Gunn încapsulată la temperatura camerei pentru întărire sau încălzire pentru a accelera întărirea; intră în următorul proces după întărirea de bază, iar întărirea completă durează 24 de ore. Notă: Temperatura și umiditatea mediului ambiant afectează semnificativ viteza de întărire și performanța finală.
Scenarii de aplicare
Acest compus electronic specializat pentru ghiveci și încapsulant siliconic este utilizat în principal pentru încapsularea, etanșarea, umplerea și protecția împotriva disipării căldurii a diodelor Gunn. Este aplicat pe scară largă în comunicațiile cu microunde, sisteme radar, generatoare de frecvență, detectoare de microunde și echipamente electronice aerospațiale. Acesta asigură funcționarea stabilă a diodelor Gunn în medii de înaltă frecvență și dure, reduce ratele de eșec cauzate de umiditate, coroziune, vibrații și supraîncălzire, menține stabilitatea la frecvență înaltă și ajută partenerii de achiziții să reducă costurile de producție și să sporească competitivitatea produselor.
Specificatii tehnice
Tip: Silicon pentru ghiveci electronic cu întărire suplimentară; Raport de amestec (A:B): personalizabil (raport de greutate); Aspect: lichid (ambele componente); Vâscozitate: personalizabil; Timp de lucru: personalizabil; Timp de întărire: 24 de ore (plin, temperatura camerei/încălzit opțional); Temperatura de funcționare: -60℃ până la 220℃; Rezistenta dielectrica: ≥25 kV/mm; Rezistivitate de volum: ≥1,0×10¹⁶ Ω·cm; Aderenta: Excelenta (metale, PC, PMMA, PCB); Pierdere dielectrică: scăzută (personalizat); Volatilitate: Minimă; Conformitate: EU RoHS; Perioada de valabilitate: 12 luni (depozitare sigilată); nepericuloase; Parametri personalizabili disponibili.
Certificari si conformitate
Pottingul nostru electronic pentru diode Gunn respectă standardele internaționale: ISO 9001 (control strict al calității), Certificare CE, Directiva RoHS UE, îndeplinind cerințele globale de producție de diode Gunn, de încredere producătorii globali de componente electronice și partenerii de achiziții.
Opțiuni de personalizare
Oferim personalizare specifică diodei Gunn: reglați vâscozitatea, duritatea, viteza de întărire, izolația, conductibilitatea termică și pierderile dielectrice; optimizarea aderenței materialelor cu diode Gunn (metale, PC/PMMA/PCB); ajustare flexibilă a parametrilor pentru a se potrivi cu diferite cerințe de frecvență și putere a diodei Gunn, satisfacând nevoile de producție pe loturi mici și la scară mare ale diferitelor industrii, adaptându-se la diferite dimensiuni și condiții de lucru ale diodelor Gunn.
Procesul de producție și controlul calității
Implementăm un proces strict de control al calității în 5 etape: cernerea materiilor prime siliconice de înaltă puritate, amestecare automată de precizie, testare de performanță (izolare, aderență, conductivitate termică, pierderi dielectrice), verificarea întăririi și ambalare sigilată. Capacitatea lunară depășește 500 de tone, susținând o aprovizionare globală stabilă; nepericuloase, transportabile ca produse chimice generale.
FAQ
Î: Este potrivit pentru toate diodele Gunn?
R: Da, poate fi personalizat pentru diferite dimensiuni, frecvențe și niveluri de putere de diode Gunn, cu compatibilitate bună și fără impact asupra transmisiei semnalului de înaltă frecvență.
Î: Care este raportul de amestecare?
R: Raport de greutate personalizabil, ușor de utilizat și amestecat.
Î: Cum se păstrează produsul?
R: Sigilați și depozitați, termenul de valabilitate este de 12 luni; se amestecă uniform înainte de utilizare dacă este stratificat, fără impact asupra performanței.
Î: Este periculos?
R: Nu, este nepericuloasă și poate fi transportată ca substanțe chimice generale.
Î: Ce se întâmplă dacă intră în ochi sau gură?
R: Clătiți imediat cu apă curată sau solicitați asistență medicală.
Contacteaza acum
